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AD522BD	文件：451.67 Kbytes Page：4 Pages	HighAccuracyDataAcquisitionInstrumentationAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ADSP-BF522	文件：2.93241 Mbytes Page：88 Pages	BlackfinEmbeddedProcessor GENERALDESCRIPTION TheADSP-BF52xprocessorsaremembersoftheBlackfinfamilyofproducts,incorporatingtheAnalogDevices/IntelMicroSignalArchitecture(MSA).Blackfin®processorscombineadual-MACstate-of-the-artsignalprocessingengine,theadvantagesofaclean,orthogonalRISC-like	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADSP-BF522	文件：4.79101 Mbytes Page：80 Pages	BlackfinEmbeddedProcessor	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADSP-BF522C	文件：829.28 Kbytes Page：12 Pages	EmbeddedProcessor GENERALDESCRIPTION ThisdocumentdescribesthedifferencesbetweentheADSP-BF52xCandtheADSP-BF52xstandardBlackfin®product.PleaserefertothepublishedADSP-BF52xdatasheetforgeneraldescriptionandspecifications.Thisdocumentonlydescribesthedifferencesfromthatdatasheet. PR	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN522	文件：1.11706 Mbytes Page：8 Pages	TOUCHLESSLAVATORYAPPLIANCES	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
AOD522	文件：1.01518 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD522P	文件：85.73 Kbytes Page：1 Pages	TO252(DPAK)PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD522P	文件：1.01521 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD522P	文件：318.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ASL522	文件：608.78 Kbytes Page：7 Pages	WidebandLinearAmplifierMMIC	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASL522	文件：536.51 Kbytes Page：6 Pages	WidebandLinearAmplifierMMIC	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
BBS522	文件：133.45 Kbytes Page：1 Pages	BNCBULKHEADJACKFORECSCABLE432101	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BD522	文件：319.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD-E522RD	文件：145.77 Kbytes Page：3 Pages	greenCHIPS,WHICHAREMADEFROMGAAIASONGAPsubstrate	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BD-E522RD	文件：202.86 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
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BF-C522RD	文件：183.7 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS [YellowStonecorp.]	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BLF522	文件：21.48 Kbytes Page：2 Pages	UHFPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLF522isDesignedforcommunicationstransmitterapplicationsintheUHFfrequencyrange. FEATURES: •Designedforbroadbandoperation. •Highpowergain •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI

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产品属性

产品编号：
SQMW522RJ
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
SQ, CGS
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
容差：
±5%
功率 (W)：
5W
成分：
绕线
特性：
耐燃，防潮，安全
温度系数：
±300ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 250°C
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
0.512" 长 x 0.354" 宽（13.00mm x 9.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
1.024"（26.00mm）
描述：
RES 22 OHM 5% 5W RADIAL

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