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SQJQ148E	文件：303.84 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：303.84 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148E	文件：302.9 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：302.9 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148E	文件：303.2 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：303.2 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148E_V01	文件：303.84 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：303.84 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148E_V02	文件：302.9 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：302.9 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148ER	文件：167.04 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：167.04 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148ER	文件：167.97 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：167.97 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148ER_V01	文件：167.97 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：167.97 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148ER_V02	文件：167.04 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：167.04 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ148ER	文件：166.77 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：166.77 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Package：
PowerPAK 8 x 8L
Channel：
N
VDS (V)：
40
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
375
PDMax. (W)：
325
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0016
Qg@10V (nC)：
69
Qgs (nC)：
35
Qgd (nC)：
24
VGS (th)Min. (V)：
2
RgTyp. (Ω)：
1.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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