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SQJ912DEP	文件：263.8 Kbytes Page：9 Pages	Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：263.8 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ912DEP	文件：262.87 Kbytes Page：9 Pages	Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：262.87 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ912DEP	文件：262.1 Kbytes Page：9 Pages	Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：262.1 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ912DEP_V01	文件：263.8 Kbytes Page：9 Pages	Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：263.8 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ912DEP_V02	文件：262.87 Kbytes Page：9 Pages	Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：262.87 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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技术参数

Package：
PowerPAK SO-8L
Channel：
N
VDS (V)：
40
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
30.0
PDMax. (W)：
27.0
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0073
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.0102
Qg@10V (nC)：
24.0
Qgs (nC)：
5.0
Qgd (nC)：
5.0
VGS (th)Min. (V)：
1.5
RgTyp. (Ω)：
2.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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