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SQJ848EP-T1_GE3中文资料MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号:
SQJ848EP-T1_GE3
- 功能描述:
MOSFET 40V 30A 68W N-Ch Automotive
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
DFN-8 |
3675 |
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询价 | ||
Vishay / Siliconix |
2025+ |
56303 |
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VISHAY |
24+ |
SO-8L |
25836 |
新到现货,只做全新原装正品 |
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Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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24+ |
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58000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
PowerPAK |
60000 |
全新原装现货 |
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VISHAY |
24+ |
PAKSO-8 |
86200 |
一级代理/放心采购 |
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VISHAY |
23+ |
PAKSO-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Vishay(威世) |
25+ |
N/A |
8800 |
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