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SQJ184EP	文件：198.18 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：198.18 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ184EP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET • TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• 100 % Rg and UIS tested\n\n\n\n;	Vishay 威世	Vishay
SQJQ184E	文件：239.56 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm height • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：239.56 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ184ER	文件：181.26 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.9 mm height • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：181.26 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ184ER	文件：180.33 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.9 mm height • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：180.33 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Package：
PowerPAK SO-8L
Channel：
N
VDS (V)：
80
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
118
PDMax. (W)：
234
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0075
Qg@10V (nC)：
46
Qgs (nC)：
12
Qgd (nC)：
13
VGS (th)Min. (V)：
2.2
RgTyp. (Ω)：
1.2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SQJ184EP供应商更新时间2026-1-19 9:00:00

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