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SQJ181ELP | Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：183.29 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
SQJ181ELP | Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：182.36 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：182.36 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
SQJ181ELP | Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET • TrenchFET® power MOSFET\n• AEC-Q101 qualified\n• 100 % Rg and UIS tested; | Vishay 威世 | Vishay |
技术参数
- Package：
PowerPAK SO-8L
- Channel：
P
- VDS (V)：
-80
- VGS (V)：
20
- IDMax. (A)：
-128
- PDMax. (W)：
468
- RDS(on)@10V (Ω)：
0.0138
- RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.0204
- Qg@10V (nC)：
59
- Qgs (nC)：
15
- Qgd (nC)：
7
- VGS (th)Min. (V)：
-1.5
- RgTyp. (Ω)：
3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
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Vishay |
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MOSFETs |
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SQJ184EP-T1_GE3 |
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