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SQJ180EP	文件：237.18 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Qgd/Qgs ratio 文件：237.18 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ180EP	文件：329.42 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Qgd/Qgs ratio 文件：329.42 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ180EP	文件：186.66 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：186.66 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ180EP_V01	文件：237.18 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Qgd/Qgs ratio 文件：237.18 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ180EP_V02	文件：329.42 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Qgd/Qgs ratio 文件：329.42 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJ180EP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK SO-8L
Channel：
N
VDS (V)：
80
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
248
PDMax. (W)：
500
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0033
Qg@10V (nC)：
78
Qgs (nC)：
18
Qgd (nC)：
16
VGS (th)Min. (V)：
2.2
RgTyp. (Ω)：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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