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SQJ164ELP	文件：276.41 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：276.41 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQJ164ELP	文件：368.65 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：368.65 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQJ164ELP	文件：225.89 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：225.89 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQJ164ELP_V01	文件：276.41 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：276.41 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQJ164ELP_V02	文件：368.65 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：368.65 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQJ164ELP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK SO-8L
Channel：
N
VDS (V)：
60
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
75.0
PDMax. (W)：
187.0
RDS(on)@10V (Ω)：
0.012
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.013
Qg@10V (nC)：
38.0
Qgs (nC)：
8.0
Qgd (nC)：
6.0
VGS (th)Min. (V)：
1.5
RgTyp. (Ω)：
1.8

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