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SQJ152ELP	文件：342.07 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：342.07 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQJ152ELP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET • TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• AEC-Q101 qualified\n• 100 % Rg and UIS tested;	Vishay 威世	Vishay
SQJ152EP	文件：245.11 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：245.11 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQJ152EP	文件：247.66 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：247.66 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQJ152EP	文件：339.89 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：339.89 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK SO-8L
Channel：
N
VDS (V)：
40
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
123
PDMax. (W)：
136
RDS(on)@10V (Ω)：
0.005
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.0075
Qg@10V (nC)：
22.5
Qgs (nC)：
4
Qgd (nC)：
4.3
VGS (th)Min. (V)：
1.2
RgTyp. (Ω)：
5.9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富芯拓展电子有限公司	SQJ152ELP-T1-GE3	VISHAY	22+	PowerPAK-SO-8	590	原装	询价
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