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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC • AEC-Q101 Qualifiedd 文件：161.89 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET 文件：162.12 Kbytes 页数：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：162.79 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：162.79 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：989.85 Kbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
SQD50N06-09L | Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET ·TrenchFET® Power MOSFET\n·100 % Rg and UIS Tested\n·AEC-Q101 Qualifiedd; | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SQD50N06-09L
- 功能描述：
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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