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SQD23N06-31L-GE3	文件：899.22 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：899.22 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SUD23N06-31L-GE3	文件：897.11 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：897.11 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SQD25N06-22L-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY TO-252	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：深圳市鑫炜纳电子有限公司	Vishay
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SQD40N06-14L-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay TO-252	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：深圳市纽联电子有限公司	Vishay

详细参数

型号：
SQD23N06-31L-GE3
功能描述：
MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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