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SQ3493EV	文件：257.279 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified c • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：257.279 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ3493EV	文件：345.14 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified c • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：345.14 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ3493EV	文件：263.12 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：263.12 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ3493EV_V01	文件：257.279 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified c • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：257.279 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ3493EV_V02	文件：345.14 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • AEC-Q101 qualified c • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：345.14 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ3493EV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

技术参数

Package：
TSOP-6
Channel：
P
VDS (V)：
-20
VGS (V)：
12
IDMax. (A)：
-8
PDMax. (W)：
5
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.021
RDS(on)@2.5V (Ω)：
0.032
Qg@4.5V (nC)：
22.7
Qgs (nC)：
4.5
Qgd (nC)：
6.4
VGS (th)Min. (V)：
-0.6
RgTyp. (Ω)：
5.9

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更多SQ3493EV供应商更新时间2025-10-5 12:00:00

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