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SQ2360EES-T1-GE3	文件：510.82 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SQ2360EES-T1-GE3	文件：223.29 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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SQ2360EES-T1-GE3

文件：510.82 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

SQ2360EES-T1-GE3

文件：223.29 Kbytes

Page：10 Pages

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

详细参数

型号：
SQ2360EES-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 60V 4.4A 3W N-Ch Automotive
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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