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SPV1001N30分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
SPV1001N30 |
参数属性 | SPV1001N30 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN |
功能描述 | Cool bypass switch for photovoltaic applications |
封装外壳 | 8-PowerVDFN |
文件大小 |
211.96 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
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SPV1001N30规格书详情
SPV1001N30属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由意法半导体集团制造生产的SPV1001N30二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
描述 Description
The SPV1001N is a system-in-package solution for photovoltaic applications to perform cool bypass rectification similar to that of a conventional Schottky diode but with much lower forward voltage drop and reverse leakage current.
The device consists of a power MOSFET transistor which charges a capacitor during the OFF time, and drives its gate during the ON time using the charge previously stored in the capacitor.
The ON and OFF times are set to reduce the average voltage drop across the drain and source terminals, resulting in reduced power dissipation.
特性 Features
■ SPV1001N30 IF=12.5 A, VR=30 V
■ SPV1001N40 IF=12.5 A, VR=40 V
■ Very low forward voltage drop
■ Very low reverse leakage current
■ 150 °C operating junction temperature
Applications
■ Photovoltaic panels
产品属性
更多- 产品编号:
SPV1001N30
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
12.5A
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:
8-PQFN(5x6)
- 工作温度 - 结:
-45°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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