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SPU03N60C3	文件：290.73 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor Cool MOS™ Power Transistor Features • New revolutioanary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • Pb-free lead plaing; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC for tar 文件：290.73 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPU03N60C3	文件：987.87 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS Power Transistor 文件：987.87 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPU03N60C3	文件：640.9 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS Power Transistor 文件：640.9 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPU03N60C3	文件：640.9 Kbytes Page：13 Pages	Ultra low gate charge 文件：640.9 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPU03N60C3	文件：247.65 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPU03N60C3	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Replacement for 600V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7\n 600V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the \"working horse\" of the portfolio. • Low specific on-state resistance (RDS(on)*A)\n• Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @400V\n• Low gate charge (Qg)\n• Fieldproven CoolMOS™ quality\n• CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998\n\n优势:\n• High efficiency and power density\n• Outstanding cost/per;	Infineon 英飞凌	Infineon
SPU03N60C3_14	文件：640.9 Kbytes Page：13 Pages	Ultra low gate charge 文件：640.9 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Package ：
IPAK (TO-251)
VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
1400.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
3.2A
Ptot max：
38.0W
IDpuls max：
9.6A
VGS(th) min max：
2.1V 3.9V
QG ：
13.0nC
Rth ：
3.3K/W
RthJC max：
3.3K/W
RthJA max：
75.0K/W
Operating Temperature min：
-55.0°C

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