10 A, 80 V High Power - High Speed NPN Transistor

• Radiation Tolerant\n• Fast Switching, 100 ns Maximum td\n• High Frequency, fT> 30 MHz\n• BVCEO 80 Volts Minimum\n• High Linear Gain, Low Saturation Voltage\n• 200°C Operating Temperature\n• Designed for Complementary Use with SPT5007 and SPT5009\n• TX, TXV, S-Level Screening Available;

SSDI

Infineon
TO-251-3

Infineon

英飞凌

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JST
CONN

JST

JST集团

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JST/日压
NA

JST/日压

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JST
端子

JST

JST集团

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