首页>SPP80N03S2L-06>规格书详情
SPP80N03S2L-06中文资料PDF规格书
SPP80N03S2L-06规格书详情
OptiMOS® Power-Transistor
Feature
• N-Channel
• Enhancement mode
• Logic Level
• Low On-Resistance RDS(on)
• Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• 175°C operating temperature
• Avalanche rated
• dv/dt rated
产品属性
- 型号：
SPP80N03S2L-06
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 80A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
15000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
INF |
TO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
询价 | |||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
P-TO220-3-1 |
20000 |
原装正品 欢迎咨询 |
询价 | ||
VBsemi |
2201+ |
TO220 |
3178 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
22587 |
询价 | |||
Infineon |
23+ |
TO-220AB |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
P-TO220-3-1 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
TO-220 |
47788 |
原装现货库存.价格优势 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2122+ |
TO-220 |
29860 |
原包装进口假一赔十 |
询价 |
