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SPP20N60C3中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
SPP20N60C3规格书详情
• DESCRIPTION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• Improved transconductance
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.19Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
SPP20N60C3
- 功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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