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SPP12N50C3规格书详情
FEATURES
• Reduced trr, Qrr, and IRRM
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• Low input capacitance (Ciss)
• Low switching losses due to reduced Qrr
• Ultra low gate charge (Qg)
• Avalanche energy rated (UIS)
产品属性
- 型号：
SPP12N50C3
- 功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 560V 11.6A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
17138 |
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INFINEON |
TO220 |
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INF |
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TO-220 |
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INFINEON |
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TO-220 |
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INFINEON |
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INFINEON |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
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INFINEON |
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INF |
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INFINEON |
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