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SPP11N65C3分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

SPP11N65C3
厂商型号

SPP11N65C3

参数属性

SPP11N65C3 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.035359 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-23 19:00:00

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SPP11N65C3规格书详情

FEATURES

• Reduced trr, Qrr, and IRRM

• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

• Low input capacitance (Ciss)

• Low switching losses due to reduced Qrr

• Ultra low gate charge (Qg)

• Avalanche energy rated (UIS)

产品属性

  • 产品编号:

    SPP11N65C3HKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    11A(Tc)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
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