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SPP11N65C3分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

SPP11N65C3

参数属性

SPP11N65C3 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

338.87 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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更新时间

2025-11-21 14:27:00

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SPP11N65C3规格书详情

• DESCRIPTION

• Ultra low gate charge

• High peak current capability

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.38Ω

• Enhancement mode

• Fast Switching Speed

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

产品属性

  • 产品编号:

    SPP11N65C3HKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    11A(Tc)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

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