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SPP11N65C3中文资料PDF规格书
厂商型号 |
SPP11N65C3 |
参数属性 | SPP11N65C3 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个;产品描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 |
功能描述 | N-Channel MOSFET Transistor |
文件大小 |
338.87 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-18 22:30:00 |
SPP11N65C3规格书详情
• DESCRIPTION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.38Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
产品属性
- 产品编号:
SPP11N65C3HKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
CoolMOS™
- 包装:
卷带(TR)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
11A(Tc)
- 描述:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
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INF |
20+ |
TO-220 |
38560 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220 |
58000 |
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VBsemi |
21+ |
TO220 |
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INFINEON |
18+ |
TO-220 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
91426 |
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INFINEON |
23+ |
TO-220 |
5000 |
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询价 | ||
INF |
2022 |
TO-220 |
80000 |
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INF |
23+ |
TO-TO-220 |
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INFINEON/英飞凌 |
18+ |
TO-220 |
311 |
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