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SPP04N80C3中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
SPP04N80C3规格书详情
• DESCRIPTION
• High peak current capability
• Ultra low gate charge
• Ultra low effective capacitances
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤1.3Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
SPP04N80C3
- 功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 800V 4A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
8540 |
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询价 | |||
INFINEON |
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TO-220 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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INFINEON |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON |
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70000 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
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INFINEON |
24+ |
TO220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
infineon/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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INFINEON |
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