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SPI21N10中文资料PDF规格书

SPI21N10
厂商型号

SPI21N10

功能描述

SIPMOS Power-Transistor

文件大小

483.75 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 22:58:00

SPI21N10规格书详情

Feature

• N-Channel

• Enhancement mode

• 175°C operating temperature

• Avalanche rated

• dv/dt rated

产品属性

  • 型号:

    SPI21N10

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100 V 21 A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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