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SPI11N60S5数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

SPI11N60S5

功能描述

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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SPI11N60S5规格书详情

特性 Features

·Innovative high voltage technology
·Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
·Ultra low gate charge
·Periodic avalanche rated
·Extreme dv/dt rated
·Ultra low effective capacitances
·Improved transconductance

技术参数

  • 制造商编号

    :SPI11N60S5

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :600.0V

  • RDS (on) max

    :340.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :11.0A

  • Ptot max

    :125.0W

  • IDpuls max

    :22.0A

  • VGS(th) min max

    :3.5V 5.5V

  • QG 

    :41.5nC 

  • Rth 

    :1.0K/W 

  • RthJC max

    :1.0K/W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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