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SPI08N50C3	文件：331.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performancean	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPI08N50C3	文件：265.73 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb-freeleadplating;RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI08N50C3	文件：732.57 Kbytes Page：14 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP08N50C3	文件：339.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performancean	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP08N50C3	文件：732.57 Kbytes Page：14 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargePeriodicavalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
SPI08N50C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 560V 7.6A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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