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IPD50N03S2L-06	文件：157.19 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPD50N03S2L-06G	文件：755.46 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementmodeLogicLevelExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD50N03S2L-06 G
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET DISCRETE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SPD50N03S2L-06 G供应商更新时间2025-5-14 15:36:00

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