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技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    30A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    20 毫欧 @ 18A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2V @ 23µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    19nC @ 10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    700pF @ 25V

  • 功率耗散(最大值):

    60W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    PG-TO252-3

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon Technologies
21+
PG-TO252-3
2500
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INFINEON
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TO252-3
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Infineon
22+
NA
2118
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Infineon Technologies
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原厂渠道,现货配单
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Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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Infineon Technologies
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TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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Infineon Technologies
23+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
8000
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NK/南科功率
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TO-252
986966
国产
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INFINEON/英飞凌
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SOT-252
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更多SPD30N03S2L20供应商 更新时间2025-11-4 16:44:00