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SPD26N06S2L-35 | OptiMOS Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
SPD26N06S2L-35 | OptiMOS Power-Transistor; | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
N-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
OptiMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
详细参数
- 型号：
SPD26N06S2L-35
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
40037 |
INFINEON/英飞凌全新特价SPD26N06S2L-35即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INF |
24+ |
TO-252-2 |
9860 |
全新原装现货/假一罚百! |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-252 |
17603 |
原装进口假一罚十 |
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INFINEON |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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infineon |
1415+ |
TO-252(DPAK) |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
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INFINEON |
24+ |
TO-252 |
280 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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INFINEON |
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P-TO252-3-11 |
18888 |
原装现货库存.价格优势 |
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INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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更多SPD26N06S2L-35供应商
更新时间2025-7-29 16:33:00
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- XC6501P151HR-G
- XC6501P251HR-G
- XC6501P28AHR-G
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