首页 >SPD23N05MOS(场效应管)>规格书列表
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SIPMOSPowerTransistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司 | SIEMENS | ||
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SIPMOSPowerTransistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司 | SIEMENS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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