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SPD15P10PL G中文资料采用 DPAK 封装的 P 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

SPD15P10PL G

功能描述

采用 DPAK 封装的 P 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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SPD15P10PL G规格书详情

描述 Description

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。

特性 Features

• 增强模式
• 雪崩评级
• 无铅镀层;符合 RoHS
• 小信号封装,经 AEC Q101 认证

优势:

应用 Application

• 汽车
• 消费品
• 直流-直流
• 电动交通
• 电机控制
• 应用指南
• 板载充电器

技术参数

  • 制造商编号

    :SPD15P10PL G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :SPD15P10PLGBTMA1

  • Qualification

    :Automotive

  • Package name

    :DPAK (TO-252) (PG-TO252-3)

  • VDS max

    :-100 V

  • RDS (on) @10V max

    :200 mΩ

  • ID @25°C max

    :-15 A

  • QG typ @10V

    :47 nC

  • Polarity

    :P

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • VGS(th) min

    :-1 V

  • VGS(th) max

    :-2 V

  • Technology

    :SIPMOS™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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