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08P06P	文件：605.25 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
F08P06S	文件：219.99 Kbytes Page：4 Pages	Dual-PEnhancementMOSFET Features VDS=-60V,ID=-8A RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.) RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SPB08P06P	文件：96.95 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB08P06P	文件：297.89 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB08P06PG	文件：1.87241 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB08P06PG	文件：273.37 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS짰Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB08P06PG	文件：273.54 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD08P06P	文件：598.62 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD08P06P	文件：113.94 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD08P06PG	文件：605.25 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD08P06PZT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	SPD08P06PZT	INFINEON	23+		8000	只做原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SPD08P06P低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市宏兴瑞科技有限公司	SPD08P06P低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	24+	TO-252	60000	全新原装现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	SPD09N05	ON/ONSemiconductor/安森	24+	TO-252	13200	新进库存/原装	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	SPD09N05	INFINEON	2016+	TO252	6528	只做进口原装现货!假一赔十!	询价
深圳市弘为电子有限公司	SPD09N05	ON	24+	原厂封装	7000	原装现货假一罚十	询价
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更多SPD08P06PZT供应商更新时间2025-5-3 15:00:00

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