SPD08P06P数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号：
SPD08P06P
- 功能描述：
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
SIPMOS®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7198 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
22500 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252D-PAK |
54558 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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infineon |
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TO-252 |
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INFINEON |
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TO252 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
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Infineon(英飞凌) |
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NA |
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Infineon Technologies |
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PG-TO252-3 |
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infineon |
2020+ |
SOT252 |
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