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07N60S5	文件：2.123 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD07N60S5	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP07N60S5	文件：338.87 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB07N60S5	文件：1.10801 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB07N60S5	文件：189.04 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：652.3 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD07N60S5	文件：262.82 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD07N60S5	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPDU07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：534.26 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：315.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPI07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP07N60S5	文件：534.26 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP07N60S5	文件：338.87 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPPBI07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
SPD07N60S5T
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPD07N60S5T供应商更新时间2024-4-30 14:08:00

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