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SPB80N06S-08

SIPMOS짰 Power-Transistor

文件:171.57 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

SPB80N06S-08

SIPMOS Power-Transistor

文件:209.08 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

SPB80N06S-08

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.96964 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPB80N06S-08

55V、N 通道、最大 8 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、SIPMOS ™

• N-channel - Normal Level -Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Avalanche test\n • Repetive Avalanche up to Tjmax = 175 ° VDD=30 V, ID=80 A, VGS=10 V, RG=2.4 W\n • dv /dt rated\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on;

Infineon

英飞凌

SPB80N06S-08_05

SIPMOS Power-Transistor

文件:209.08 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • VDS max:

    55.0V

  • ID  max:

    80.0A

  • RDS (on)(@10V) max:

    8.0mΩ

  • QG(typical) :

    125.0nC 

  • VGS(th) min max:

    2.1V 4.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
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PG-TO263-3D2-PAK(T
8866
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INFINE0N
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TO263-3-
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D2PAK (PG-TO263-3)
32568
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PG-TO263-3
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PG-TO263-3
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Infineon/英飞凌
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更多SPB80N06S-08供应商 更新时间2026-2-4 15:30:00