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SPB80N03S2-03G

INFINEON/英飞凌TO-263

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深圳市昂芯微科技有限公司

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SPB80N03S2L-04

INFINEONTO262

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SPB80N03S2L-05

INFINEON/英飞凌P-TO263-3-2

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

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深圳市安富世纪电子有限公司

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SPB80N03S2

INFINEONTO-263

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代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市川科科技有限公司

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SPB80N03S2

INFINEON-英飞凌TO-263-3

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SPB80N03S2L-06

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深圳市明盛嘉电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

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SPB80N03S2L-06G

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深圳市一线半导体有限公司

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SPB80N03S2L-06

INFINEONP-TO263-3-2

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深圳市博中泰实业有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

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SPB80N03S2L06T

Infineon TechnologiesPG-TO263-3-2

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SPB80N03S2L-06G

INFINEONTO-263

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SPB80N03S2L06T

Infineon Technologies原装

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SPB80N03S2L-08

INFINE0NTO-263

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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

深圳市华来深电子有限公司

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SPB80N03S2L-06G

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SPB80N03S2-03 G功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 80A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SPB80N03S203GATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

SPB80N03S2L-03功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SPB80N03S2L-03 G功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SPB80N03S2L-03G功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 80A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SPB80N03S2L-04功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SPB80N03S2L-04 G功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SPB80N03S2L05制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG

SPB80N03S2L-05功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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