| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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9年
留言
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Infineon TechnologiesPG-TO263-3-2 |
1000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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15年
留言
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INFINEONP-TO263-3-2 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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14年
留言
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INFINEONTO-263 |
7936 |
26+ |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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17年
留言
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INFINEONP-TO263-3-2 |
8866 |
24+ |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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10年
留言
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INFINEONTO-263/D2-PAK |
32500 |
25+ |
普通 |
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6年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
22800 |
23+ |
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13年
留言
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INFINE0NTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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6年
留言
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INFINEONTO263-3 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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5年
留言
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INFINEONP-TO263-3-2 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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1年
留言
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NK/南科功率TO-263-2 |
986966 |
2025+ |
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国产 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌P-TO263-3-2 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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8年
留言
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INFINEON22+ |
10000 |
TO263-3-2 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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6年
留言
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INFINEONTO263-3 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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9年
留言
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Infineon TechnologiesPG-TO263-3-2 |
1000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
SPB21N10采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SPB21N10图片
SPB21N10T中文资料Alldatasheet PDF
更多SPB21N10功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB21N10 G功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB21N10NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SPB21N10T功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件





























