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SPB12N50C3中文资料PDF规格书

SPB12N50C3
厂商型号

SPB12N50C3

功能描述

New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate charge

文件大小

1.69996 Mbytes

页面数量

12

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 21:15:00

产品属性

  • 型号:

    SPB12N50C3

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS N-CH 560V 11.6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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