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SPB11N60S5

Cool MOS??Power Transistor

Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance

文件:335.41 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

SPB11N60S5

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:188.97 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SPB11N60S5

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.04041 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPB11N60S5

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge

文件:691.82 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

SPB11N60S5

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

• Innovative high voltage technology\n• Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252\n• Ultra low gate charge\n• Periodic avalanche rated\n• Extreme dv/dt rated\n• Ultra low effective capacitances\n• Improved transconductance\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

SPB11N60S5_05

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge

文件:691.82 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • Package :

    D2PAK (TO-263)

  • VDS max:

    600.0V

  • RDS (on) max:

    380.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    11.0A

  • Ptot max:

    125.0W

  • IDpuls max:

    22.0A

  • VGS(th) min max:

    3.5V 5.5V

  • QG :

    41.5nC 

  • Rth :

    1.0K/W 

  • RthJC max:

    1.0K/W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
英飞翎
17+
D2PAK(TO-263)
31518
原装正品 可含税交易
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INFINE0N
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TO-263
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
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TO-263
9000
原装正品,诚信经营
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D2PAK(TO-263)
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TO-263/D2-PAK
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TO-263
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TO-263
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Infineon(英飞凌)
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更多SPB11N60S5供应商 更新时间2026-1-31 14:00:00