SPB10N10L中文资料SIPMOS Power-Transistor数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
SPB10N10L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
SIPMOS®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
32000 |
INFINEON/英飞凌全新特价SPB10N10L即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Infineon |
07+ |
TO-263 |
14000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
INFINEON |
22+ |
原厂封装 |
12450 |
原装正品，实单请联系 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7936 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263-3-2 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 |
