| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK(TO-263) |
18500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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英飞翎D2PAK(TO-263) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT263 |
14500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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INFINEONTO-263 |
7936 |
23+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
15000 |
21+ |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
50000 |
22+ |
原装正品.假一罚十 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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InfineoTO-263 |
12588 |
21+ |
原装现货价格优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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InfineonPG-TO263-3-2 |
24666 |
23+ |
确保原装正品,一站式配单-认准水星电子。 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON22+ |
10000 |
TO263-3-2 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONP-TO263-3-2 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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infineonP-TO263-3-2 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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Infineon TechnologiesPG-TO263-3-2 |
7500 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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INFSOT404 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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infineonTO-263 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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INFINEONP-TO263-3-2 |
8866 |
08+(pbfree) |
SPB100N03S2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPB100N03S2图片
SPB100N03S203T价格
SPB100N03S203T价格：￥11.4871品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的SPB100N03S203T多少钱，想知道SPB100N03S203T价格是多少？参考价：￥11.4871。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SPB100N03S203T批发价格及采购报价，SPB100N03S203T销售排行榜及行情走势，SPB100N03S203T报价。
SPB100N03S2L-03中文资料Alldatasheet PDF
更多SPB100N03S2-03功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB100N03S2-03 G功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 100A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SPB100N03S2-03G制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor
SPB100N03S203T功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB100N03S2L-03功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB100N03S2L-03 G功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB100N03S2L-03G功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 100A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SPB100N03S2L03T功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB100N03S2L03T功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
