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SPB07N60C2	文件：159.83 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances 文件：159.83 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB07N60C2	文件：1.10809 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：1.10809 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPB07N60C3	文件：374.19 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) • Pb-free lead plating; RoHS complian 文件：374.19 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor Cool MOS™ Power Transistor • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Optimized capacitances • Improved noise immunity 文件：332.37 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB07N60S5	文件：189.04 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With To-263(D2PAK) package • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications 文件：189.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPB07N60S5	文件：1.10801 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：1.10801 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPB07N60C3	文件：189.64 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPB07N60C3	文件：1.10803 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10803 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPB07N60C3	文件：1.39471 Mbytes Page：13 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated 文件：1.39471 Mbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB07N60C3_05	文件：1.39471 Mbytes Page：13 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated 文件：1.39471 Mbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Package ：
D2PAK (TO-263)
VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
600.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
7.3A
Ptot max：
83.0W
IDpuls max：
21.9A
VGS(th) min max：
2.1V 3.9V
QG ：
21.0nC
Rth ：
1.5K/W
RthJC max：
1.5K/W

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