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SPB02N60S5中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
SPB02N60S5规格书详情
特性 Features
• Innovative high voltage technology
• Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• Ultra low effective capacitances
• Improved transconductance
优势:
技术参数
- 制造商编号
：SPB02N60S5
- 生产厂家
：Infineon
- VDS max
：600.0V
- RDS (on) max
：3000.0mΩ
- Polarity
：N
- ID max
：1.8A
- Ptot max
：25.0W
- IDpuls max
：3.2A
- VGS(th) min max
：3.5V 5.5V
- QG
：7.3nC
- Rth
：5.0K/W
- RthJC max
：5.0K/W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
12882 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
0716+ |
35 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
SOT263 |
23600 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7936 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263-3-2 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
I |
25+ |
TO263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
P-TO263-3-2 |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 |
