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SPA02N80C3中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

SPA02N80C3

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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SPA02N80C3规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ P7替代CoolMOS™ C3 。
800V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品,于 2001 年上市。C3 是产品组合中的主力军。

特性 Features

特定导通电阻低(R DS(on)* A)

• 输出电容为(E oss)@ 400V 时,能量储存非常低
• 低栅极电荷(Qg)
• 经过实践认证的 CoolMOS™ 质量
• 自1998年以来,英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术

优势:
• 高效率,高功率密度
• 超高成本/性能比
• 高可靠性
• 使用方便
 

应用 Application

• 消费品
• 计算机电源
• 适配器
• 照明
• 太阳能

技术参数

  • 制造商编号

    :SPA02N80C3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :SPA02N80C3XKSA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO220-3

  • VDS max

    :800 V

  • RDS (on) @10V max

    :2700 mΩ

  • ID @25°C max

    :2 A

  • QG typ @10V

    :9 nC

  • Special Features

    :price/performance

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • VGS(th) min

    :2.1 V

  • VGS(th) max

    :3.9 V

  • Technology

    :CoolMOS™ C3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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