GaN Controller

SP9685E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD 和USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于 75mW。      芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的 LPS 要求。      在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst 模式;采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，满足能效 • 集成 650V GaN 功率器件\n• 准谐振谷底锁定模式实现无噪音工作\n• 带输出电压补偿的 Burst 工作模式\n• 内置初级限流保护，满足 LPS 要求\n• 内置异常故障过流保护功能(绕组和次级整流管短路)\n• 内置频率抖动改善 EMI\n• 内置芯片 OTP 保护和外置 NTC 提供器件OTP 保护;

Si-Power

硅动力

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

文件：386.96 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

文件：617.15 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET

文件：254.13 Kbytes 页数：5 Pages

SSC

Silicon Standard Corp.