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详细参数

型号：
SP8M9TB
功能描述：
MOSFET N+P 30V 9A/5A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	SP8M9TB	Rohm Semiconductor	22+	8SOP	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	SP8M9TB	Rohm Semiconductor	23+	8SOP	8000	只做原装现货	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	SP8N50FP	INFINEON/英飞凌	22+	TO-220	93946		询价

更多SP8M9TB供应商更新时间2026-1-17 8:03:00

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