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SP8M8TB_ROHM/罗姆_MOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC海芯未来电子
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SP8M8TB
- 功能描述:
MOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商
- 企业:
海芯未来半导体电子(深圳)有限公司
- 商铺:
- 联系人:
冯小姐
- 手机:
18823440899
- 询价:
- 电话:
18823440899
- 地址:
深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋2层203
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