SP8M51中文资料100V Nch+Pch 功率MOSFET数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
SP8M51 |
| 参数属性 | SP8M51 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8 |
| 功能描述 | 100V Nch+Pch 功率MOSFET |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 11:11:00 |
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SP8M51规格书详情
特性 Features
·Low on - resistance.
·Small Surface Mount Package (SOP8).
·Pb-free lead plating; RoHS compliant.
·Halogen Free.
简介
SP8M51属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的SP8M51晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：SP8M51
- 生产厂家
：ROHM
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch+Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：100
- Drain Current ID[A]
：3.0
- RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)
：0.135
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)
：0.13
- RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)
：0.12
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.135
- Total gate charge Qg[nC]
：8.5
- Power Dissipation (PD)[W]
：2.0
- Drive Voltage[V]
：4.0
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
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SOP |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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询价 | |||
ROHM/罗姆 |
22+ |
SOP8 |
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原装正品 |
询价 |
