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SP8J5	文件：113.41 Kbytes Page：5 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；4V Drive PchPch MOS FET 文件：113.41 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J5	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch+Pch MOSFET •4V驱动型 Pch+Pch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J5FRA	文件：428.21 Kbytes Page：7 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；4V Drive PchPch MOS FET 文件：428.21 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J5FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V驱动型 Pch+Pch MOSFET (AEC-Q101标准) SP8J5FRA是车载级的高可靠性MOSFET。 •4V驱动型 Pch+Pch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J5FU6TB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-7.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.03
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.03
Total gate charge Qg[nC]：
25.0
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多SP8J5供应商更新时间2025-12-1 9:31:00

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