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SP8J1	文件：116.5 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive PchPch MOS FET Features 1) Low On-resistance. (40mΩ at 4.5V) 2) High Power Package. (PD =2.0W) 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (4 V) Applications Power switching DC-DC converter 文件：116.5 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J1	文件：67.29 Kbytes Page：5 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；Switching (−30V, −5.0A) 文件：67.29 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J1	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch+Pch MOSFET •4V驱动型 Pch+Pch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J1_V01	文件：116.5 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive PchPch MOS FET Features 1) Low On-resistance. (40mΩ at 4.5V) 2) High Power Package. (PD =2.0W) 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (4 V) Applications Power switching DC-DC converter 文件：116.5 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J1FU6TB	文件：116.5 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive PchPch MOS FET Features 1) Low On-resistance. (40mΩ at 4.5V) 2) High Power Package. (PD =2.0W) 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (4 V) Applications Power switching DC-DC converter 文件：116.5 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-5.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.03
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
16.0
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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