同步整流

SP6501FL是一颗应用于隔离反激电源系统的次级同步整流芯片。通过模拟次级肖特基整流二极管的工作并以极低的导通电阻来减小损耗。SP6501FL可以工作在断续模式（DCM）和准谐振模式（QR）。使用先进的消隐技术使得芯片在各种工作模式下可以稳定可靠地工作。\n\n      SP6501FL检测内置MOSFET的导通电阻（Rds-on）上的压降，来控制MOSFET的开关。应用外围简单。适用于5V输出的应用方案。\n\n\n\n • 内置21mΩ/ 45V功率NMOS管\n• 最高工作频率可达70kHz\n• 50ns关断延迟时间\n• VCC过压保护\n• 工作在断续模式（DCM）和准谐振模式（QR）\n• SOP-8无铅封装;

Si-Power

硅动力

BRIDGE DRIVER WITH ROTATION DETECTOR

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TOSHIBA

东芝

BRIDGE DRIVER WITH ROTATION DETECTOR

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TOSHIBA

东芝

Si NPN Transistor

□ Features - Gain bandwidth product fT = 1.1 GHz at VCE = 3 V, IC = 20 mA fT = 1.5 GHz at VCE = 5 V, IC = 30 mA - Power gain |S21|2 = 3.0 dB at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz - Noise figure NF = 1.8 dB at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz □ Applications - Broadband amplifier

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AUK